imec：High NA EUV光刻生态系统已做好了准备！

　　2月26日，据imec（比利时微电子研究中心）官方消息，在“2024 年先进光刻 + 图案化会议上”，imec将展示 EUV 工艺、掩模和为实现高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻而准备的计量学。imec报告了抗蚀剂和底层开发、掩模增强、光学邻近校正（OPC）开发、分辨率场拼接、减少随机故障以及改进计量和检测方面的主要成就。

　　有了这些结果，imec 就可以将 EUV 工艺转移到imec-ASML 联合高数值孔径 EUV 实验室中，该实验室是围绕第一台High NA（高数值孔径）EUV 光刻机原型构建的。

　　imec 高级图案化、工艺和材料高级副总裁 Steven Scheer 表示：“ASML 已组装第一台High NA EUV 光刻机 (TWINSCAN EXE:5000)，第一批晶圆将很快曝光。在接下来的几个月中，imec-ASML High NA EUV 联合实验室将投入运营，并将向 High NA 客户提供访问权限。High NA EUV 实验室配备了已安装的设备和工艺，使客户能够在工具在工厂运行之前尽早开始高数值孔径 EUV 学习。imec的职责是与 ASML 和我们扩展的供应商网络密切合作，确保及时提供先进的抗蚀剂材料、光掩模、计量技术、（变形）成像策略和图案化技术。2024 年 SPIE 高级光刻与图案化会议上发表的超过 25 篇论文表明了这些工艺已为实现High NA做好了准备。”

　　场拼接是高数值孔径的关键推动因素：由于变形镜头（即在 x 和 y 方向上具有不同放大倍数的镜头），需要进行场拼接，从而导致场尺寸为传统扫描仪场尺寸的一半。imec将分享基于与 ASML 和我们的掩模车间合作伙伴在imec NXE:3400C 光刻机上完成的工作实现分辨率拼接的最新见解。分辨率拼接将减少为应对场尺寸减小而进行设计更改的需要。

　　在材料和工艺方面，很明显金属氧化物抗蚀剂（MOR）仍然处于金属线/空间图案的领先地位。imec 将展示 MOR 在 EUV 剂量产量降低方面的进展。特定底层的选择、开发过程的优化、掩膜吸收体的选择、掩膜偏差和掩膜色调导致线条和空间的剂量减少了 20% 以上，而没有增加粗糙度或随机故障。此外，尖端到尖端的尺寸并未受到这些剂量减少活动的负面影响。剂量减少工作仍在继续，并受到我们的芯片制造商的高度赞赏，因为它由于扫描仪吞吐量更高而导致 EUV 成本降低。

　　通过使用 MOR 抗蚀剂和二元明场掩模进行接触孔图案化，获得了意想不到的结果。与在同一叠层中转移的正色调化学放大抗蚀剂 (CAR) 和二元暗场掩模相比，图案转移后剂量减少了 6%，局部 CD 均匀性 (LCDU) 提高了 30%。用于接触孔的明场掩模的另一个问题是掩模质量和缺陷率。这需要仔细研究才能使 MOR 成为接触孔的选择。在此之前，带有暗场掩模的正色调 CAR 抗蚀剂将成为高数值孔径 EUV 中接触和通孔图案化的主要候选者。

　　High NA还需要改进计量和检测，提供更高的分辨率（通过高数值孔径）和更薄的薄膜（通过减小焦深 (DOF)）。Imec 将展示电子束和深紫外 (DUV) 检测的新结果，表明新的最知名方法 (BKM) 已到位，可以发现高 NA 相关的随机图案故障，例如六边形接触孔。此外，还将提出几种机器学习技术（基于去噪 SEM 显微照片）来促进小缺陷的检查和分类。

　　最后，imec 和合作伙伴将介绍通过源掩模优化和变形掩模 OPC（考虑拼接的需要）实现的成像改进。

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