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MEMS器件

发布时间:2024-02-18 11:59编辑:admin 浏览次数:

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  Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

  三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势,此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能,并产生较低的热量加利福尼亚

  誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会,携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

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